Resumen
Este trabajo aborda el diseño de un circuito para minimizar los efectos adversos en la conmutación de MOSFETs en un medio puente H. Los MOSFETs enfrentan problemas de eficiencia y estabilidad debido a capacitancias e inductancias parásitas. Para solucionar esto, se añadieron resistencias en gate-on y gate-off, así como un capacitor entre la puerta y la fuente. Estas modificaciones demostraron eficacia en simulaciones y pruebas experimentales, reduciendo perturbaciones y picos de tensión, y mejorando la estabilidad del sistema. La solución propuesta optimiza el rendimiento de los MOSFETs en aplicaciones de alta frecuencia y potencia, mejorando la eficiencia energética y reduciendo el estrés en los componentes.
| Título traducido de la contribución | Design of a mitigation circuit to improve MOSFET switching in a half-bridge configuration |
|---|---|
| Idioma original | Español |
| Páginas (desde-hasta) | 149–159 |
| Número de páginas | 10 |
| Publicación | Tecnologia En Marcha |
| Volumen | 39 |
| N.º | 1 |
| DOI | |
| Estado | Publicada - 20 dic 2025 |
Palabras clave
- Capacitancia de Miller
- Conmutación
- MOSFET
- Oscilación
- Medio puente H
Huella
Profundice en los temas de investigación de 'Diseño de un circuito de mitigación para mejorar la conmutación de MOSFETs en una configuración de medio puente H'. En conjunto forman una huella única.Proyectos
- 1 Terminado
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Mejora en la Flexibilidad de Control de Convertidores Modulares Multinivel utilizando Control Predictivo de Conjunto Continuo
Arias Esquivel, Y. (Persona académica coordinadora institucional), Salazar García, C. (Persona académico colaboradora institucional), Cardenas-Dobson, R. (Persona académica colaboradora externo ) & Diaz, M. (Persona académica colaboradora externo )
1/01/24 → 31/12/25
Proyecto: Proyectos Investigación Con fondos internos › Investigación básica y aplicada
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